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DDR1

大容量 DDR1 是高速、高存储密度的同步动态随机访问数据存储器,由 1 个或多个 DDR1 基片采用立体封装工艺堆叠而成。广泛应用于航空航天领域嵌入式计算机系统。


产品特性

    总容量: 1G~8G;

访问速度:最快达 7.5ns

数据宽度: 8 位, 16 位, 72 位;

电源电压: 2.5V

典型产品辐照指标:

TID: 50 krad Si

SEL: 80 Mev·cm 2 /mg

SEU: 0.7 Mev·cm 2 /mg

工作温度: - 55 ~105 ℃。

产品列表



#

DDR1

存储容量(bit)

存储组织

电压

访问速度

抗辐射

封装

温度等级

筛选等级

质量等级

TID 1

SEL 2

SEU 3

1

VD1D1G16xS66xx1T7B

1G

64M*16

2.5V

7.5 ns

>50

>80

>0.7

SOP66

E、I、S

E、B、S

EE、IB、SS

2

VD1D2G16xS66xx2T7B

2G

128M*16

2.5V

7.5 ns

>50

>80

>0.7

SOP66

E、I、S

E、B、S

EE、IB、SS

3

VD1D2G32xS86xx2T7B

2G

64M*32

2.5V

7.5 ns

>50

>80

>0.7

SOP86

E、I、S

E、B、S

EE、IB、SS

4

VD1D8G08xS66xx8T7B

8G

1G*8

2.5V

7.5 ns

>50

>80

>0.7

SOP66

E、I、S

E、B、S

EE、IB、SS

5

VD1D8G08xS66xx8T7B-

8G

1G*8

2.5V

7.5 ns

>50

>80

>0.7

SOP66

E、I、S

E、B、S

EE、IB、SS

6

VD1D8G16xS78xx8T7B

8G

512M*16

2.5V

7.5 ns

>50

>80

>0.7

SOP78

E、I、S

E、B、S

EE、IB、SS


1、TID: Total Dose Krads(Si)
2、SEL: LET Threshold Mev.cm 2 /mg
3、SEU:SEU Threshold Mev.cm 2 /mg

相关下载


VD1D1G16xS66xx1T7B user manual.pdf

VD1D2G16xS66xx2T7B user manual.pdf

VD1D2G32xS86xx2T7B user manual.pdf

VD1D8G08xS66xx8T7B user manual.pdf

VD1D8G08xS66xx8T7B user manual.pdf

VD1d8G16xS78xx8T7B user manual.pdf

立体封装模块焊接后清洗建议.pdf

立体封装模块加固建议.pdf

立体封装模块手工装配工艺建议.pdf

立体封装模块自动回流焊装配规范.pdf




4Mb 8Mb 16Mb 32Mb

  • Part Number Configuration Voltage Clock Rate / Access time Package Temperature SCD#
    暂无记录
  • Part Number Configuration Voltage Clock Rate / Access time Package Temperature SCD#
    暂无记录
  • Part Number Configuration Voltage Clock Rate / Access time Package Temperature SCD#
    暂无记录
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